推荐项目
| 推荐机构：西安科技大市场 | 项目阶段：研发 | 所属领域：新材料技术 |
| 知识产权情况： 其他 | 技术交易方式： 技术转让 | 意向交易额：面谈 |
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| 推荐机构 | 西安科技大市场 | 推荐人 | |
| 委托机构 | 西安远诺知识产权运营管理有限公司 | 技术经理人 | 尹晓雪 |
| 项目名称 | 一种逐层交替掺杂低漏电流BiFeO3薄膜及其制备方法 | 项目持有人 | 陕西科技大学 |
| 知识产权情况 | 其他 | ||
| 项目所属领域 | 新材料技术 | ||
| 项目创新点 | 1、本发明选择镧系元素Tb和Sm进行A位掺杂，在BiFeO3的A位掺杂镧系元素可以稳定钙钛矿结构中的铁氧八面体，同时由于Tb替代了部分Bi，使得Bi在退火过程中的挥发量减少从而减少了氧空位的产生，因此能够有效的增强薄膜的绝缘性，减小漏导。而且A位掺杂也会在一定程度上破坏BiFeO3结构中周期性的磁螺旋结构，故而也可以改善其磁性能。而且在本发明中采用逐层交替掺杂的方式能通过薄膜内部界面效应，阻碍电子或者空穴在电场作用下的传递，可以进一步减小漏电流密度。 2、目前用于制备BiFeO3薄膜的方法有很多，如化学气相沉积法(CVD)、磁控溅射法(rfmagnetronsputtering)、金属有机物沉积法(MOD)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)、液相沉积法（LPD）、分子束外延法(MBE)、脉冲激光沉积法(PLD)等。相比其他方法，由于溶胶-凝胶法(Sol-Gel方法)具有不需要昂贵的真空设备，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，而且Sol-Gel法制备BiFeO3薄膜所需温度低，有利于解决BiFeO3薄膜制备过程中的Fe变价和Bi挥发的问题；同时易于掺杂改性，可以有效地控制薄膜的组分和结构，薄膜化学成分比较容易控制，特别适于制备多组元氧化物薄膜材料，能精确控制薄膜的化学计量比和掺杂；因此，本发明采用Sol-Gel方法以逐层交替掺杂的形式制备逐层交替掺杂低漏电流BiFeO3薄膜。 3、本发明设备要求简单，实验条件容易达到，制备的薄膜均匀性较好，掺杂量容易控制，并且可通过多元掺杂大幅度提高薄膜的电性能。这种方法能够制备出在500kV/cm的高电场下漏电流密度仍保持在10-5A/cm2左右的BiFeO3薄膜。 | ||
| 原理路线 | 1）将Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·9H2O以及Tb(NO3)3·6H2O按（0.91-0.97）:1:（0.08-0.14）的摩尔比溶于乙二醇甲醚和醋酸酐的混合液中搅拌均匀，得到前驱液A；将Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·9H2O和Sm(NO3)3·6H2O按（0.90-0.97）:1:（0.08-0.15）的摩尔比溶于乙二醇甲醚和醋酸酐的混合液中搅拌均匀，得到前驱液B；其中，前驱液A和前驱液B中总的金属离子浓度均为0.1～0.5mol/L； 2）将前驱液A旋涂在FTO/glass基片上，然后于180～260℃烘烤得干膜，再在550℃下退火8～10min，即得Tb掺杂的晶态BiFeO3薄膜； 3）将Tb掺杂的晶态BiFeO3薄膜冷却，在冷却后Tb掺杂的晶态BiFeO3薄膜上旋涂前驱液B，然后于180～260℃烘烤得干膜，再在550℃下退火8～10min，即在Tb掺杂的晶态BiFeO3薄膜上制备出Sm掺杂的晶态BiFeO3薄膜； 4）在Sm掺杂的晶态BiFeO3薄膜上交替制备Tb掺杂的晶态BiFeO3薄膜和Sm掺杂的晶态BiFeO3薄膜，得到逐层交替掺杂低漏电流BiFeO3薄膜。 | ||
| 项目阶段 | 研发 | ||
| 市场应用与前景 | |||
| 技术交易方式 | 技术转让 | ||
| 意向交易额 | 面谈 | ||
| 备注 | |||
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