本项目主要解决现有空穴传输材料成本高、载流子迁移率低和性质不稳定的问题。其自下而上包括：衬底(1)、阴极(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)、阳极(6)，其中空穴传输层(5)采用厚度为80～200nm的四苯乙烯‑三苯胺聚合物TPE‑TPA，并通过旋涂TPE‑TPA前驱体溶液的方法来制备空穴传输层。

本项目包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层上淀积Λ‑型有机空穴传输材料以形成空穴传输层；(e)在所述空穴传输层上制作阳极以完成所述钙钛矿太阳能电池的制备。

本项目主要解决现有空穴传输材料成本高、载流子迁移率低和性质不稳定的问题。其自下而上包括：衬底(1)、阴极(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)、阳极(6)，其中空穴传输层(5)采用厚度为80～200nm的四苯乙烯‑三苯胺聚合物TPE‑TPA，并通过旋涂TPE‑TPA前驱体溶液的方法来制备空穴传输层。

本项目包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层上淀积Base衍生物有机空穴传输材料以形成空穴传输层；(e)在所述空穴传输层上制作阳极以完成所述钙钛矿太阳能电池的制备。

本项目主要解决现有太阳能电池能量转换效率低的问题。其包括阴极(1)、n型硅片基体(2)、p型有机导电薄膜(3)、p型缓冲层(4)、电子传输层(5)、界面修饰层(6)、有机活性层(7)、空穴传输层(8)以及阳极(9)。其中阴极、n型硅片基体和p型有机导电薄膜自下而上构成Si杂化太阳能电池；电子传输层、界面修饰层、有机活性层、空穴传输层以及阳极自下而上构成有机太阳能电池，这两种结构的太阳能电池通过p型缓冲层叠加构成叠层结构，使电荷能够有效的向电极传输。

本项目通过层压技术巧妙地去掉了传统叠层结构中的中间连接层，使两种给体材料分别与一种受体材料形成了体异质结结构的子节电池，使两个有效层直接相连接,使叠层电池的效率能得到进一步的提高。由于中间连接层的消失，避免了光通过此层时的附带吸收，有利于器件对光的有效吸收；避免了它的存在而引入的电阻，有利于器件电学性能的提高；使叠层电池总的材料层数大大减少，结构大大简化，这使得制造工艺更简单，工艺流程更易控制，器件成本也因此大大降低。

本项目包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构，表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构，本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件，包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。

本项目包括以下步骤：在集成开发环境中，打开或创建工程，工程用于管理FPGA设计开发过程中涉及到的文件；根据开启工程指令打开或创建工程；在工程中添加资源文件，以调用集成开发环境对资源文件进行管理和编译转换；资源文件包括：设计文件和约束文件，或者，资源文件包括：设计文件、约束文件和仿真文件；调用集成开发环境的执行功能对工程中对应的资源文件进行编译和转换，并根据转换结果得到可载入FPGA芯片的比特流，执行功能包括：综合功能、实现功能和比特流生成功能，或者，还可以包括仿真功能。

本项目能够有效确保检测模型在基于嵌入式系统的小型化设备上的检测性能，具有更加广阔的应用前景。

本项目将神经网络映射为应用于嵌入式系统的实现程序，从而能够加快神经网络在嵌入式平台的实现速度，最大化嵌入式平台的性能。