阿士大夫撒发的

本项目具体步骤为：1)求出离散立方相位信号的瞬时自相关函数；2)利用NUFFT快速实现信号的时频分布计算；3)对得到的时频分布进行参数空间转换和循环移位累加操作；4)利用峰值检测技术同时完成调频率和二次调频率的联合估计。

本项目包括：在P型SiC衬底上经过外延工艺形成MOSFET的N-漂移区；在N-漂移区内经过注入工艺形成MOSFET的源区和漏区；对已形成源区和漏区的SiC外延片的外延表面在200℃下进行紫外线氧化；RCA清洗，使得在外延表面形成Si界面结构；将SiC外延片在300℃氧气气氛中进行等离子体增强化学气相淀积PECVD预处理，将所述外延表面的Si界面结构氧化成SiO2界面层；在所述SiO2界面层上进行氧化淀积和退火，形成隔离介质层；制备多晶硅栅极和源、漏金属电极，从而形成所述横向导电结构SiCMOSFET。

本项目所述的SiCMOSFET功率器件自上而下包括：栅极、SiO2隔离介质层、N+漏区、N+源区、P+欧姆接触区、P阱、N-漂移区和P型SiC衬底；其中，N+漏区、N+源区和P+欧姆接触区水平设置，N+源区和P+欧姆接触区位于P阱内；在SiO2隔离介质层与N-漂移区之间的界面具有一层等离子体增强化学气相淀积PECVDSiO2界面层。

本项目包括：在N+SiC衬底上经过外延工艺形成MOSFET的N‑漂移区；在N‑漂移区内经过注入工艺形成MOSFET的源区；对已形成所述源区的SiC外延片的外延表面在200℃下进行紫外线氧化；RCA清洗，使得在所述外延表面形成Si界面结构；将所述SiC外延片在300℃氧气气氛中进行等离子体增强化学气相淀积PECVD预处理，将所述外延表面的Si界面结构氧化成SiO2界面层；在所述SiO2界面层上进行氧化淀积和退火，形成隔离介质层；制备多晶硅栅极和源、漏金属电极，从而形成所述垂直导电结构SiCMOSFET。

本项目的制备方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽；(c)对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(d)光刻引线孔并金属化处理以形成所述固态等离子体PiN二极管。

主要解决传统下行信息数据的处理方法不能获得最优误码率性能的问题。其处理过程为：(1)对子载波进行分组，并构造每组子载波对应的发送和接收信号矢量及信道矩阵；(2)对每组子载波对应的调制信号进行归一化和扰动；(3)对归一化和扰动后信号矢量进行多流干扰抑制并进行发射功率控制；(4)对每组子载波对应的接收信号矢量进行增益补偿和求模运算；(5)对求模运算后得到的归一化调制信号矢量估计值进行反归一化；(6)对反归一化后的正交振幅调制信号矢量的估计值进行解调。

本项目包括：利用单一天线构建进行匀速圆周运动的单天线模型；将所述单天线模型等效为圆形天线阵列；计算所述圆形天线阵列的辐射电场；根据所述圆形天线阵列的辐射电场获取所述多模态涡旋电磁波。

实际上它是在“小便导流器”上安装了可控制的“试纸携带件”，在“试纸携带件”上面可根据需要放置IgG抗体、IgM抗体或/和其他的试纸（剂）；同种的试纸也可以多放置几个，用来测试各时段（初段、中段或末段）尿液中的分布的情况，增加采样次数，提高准确性。在“试纸携带件”上，可以按照使用者的需要临时换置多种试纸；或重复换置同种试纸，尿一次就可检测不同项目和在不同时段尿液中的情况互相印证结果；这种即尿即得的检测器使采集尿液、试剂沾取尿液和看结果的工作一次完成，减少了操作的程序．

面向指向精度的射电天望远镜轨道不平度逆向设计方法，包括以下步骤：(1)对轨道不平度进行测量，得到轨道不平度的测试数据xi；(2)分析步骤(1)得到的轨道不平度的测试数据xi；(3)计算轨道不平度的测试数据xi引起的望远镜指向误差；(4)由望远镜指向误差反推轨道不平度的容许值；(5)将指向精度的测试数据与计算数据进行对比，修正轨道不平度。