本项目包括:在P型SiC衬底上经过外延工艺形成MOSFET的N-漂移区;在N-漂移区内经过注入工艺形成MOSFET的源区和漏区;对已形成源区和漏区的SiC外延片的外延表面在200℃下进行紫外线氧化;RCA清洗,使得在外延表面形成Si界面结构;将SiC外延片在300℃氧气气氛中进行等离子体增强化学气相淀积PECVD预处理,将所述外延表面的Si界面结构氧化成SiO2界面层;在所述SiO2界面层上进行氧化淀积和退火,形成隔离介质层;制备多晶硅栅极和源、漏金属电极,从而形成所述横向导电结构SiCMOSFET。