在后摩尔时代,发挥多功能、异质集成技术的优势和特点,面向存储系统应用,集成DDR31DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等,构成具有多功能的存储徽系统芯片。DDR3、DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等,构成具有多功能的存储徽系统芯片。该徽系统具有以下特点和优势:1.具有DRAM缓存和FLASH存储功能,内部集成参考电源设计,无需外部提供参考电源,功能更丰富、设计更简单;2.同国内外同类型产品对比,集成了更多不同功能、不同制程的芯片和阻容网,集成度更高古用面积更小;
3.单颗芯片支持不同存储位宽(32/40/64172bi),使得应用更简单、高效;
4.采用全国产化芯片,基板加工、封装工艺等全在国内完成,完全自主可控。
1、微系统芯片设计技术
2、微系统芯片测试技术
如您想进一步了解本项目的详细信息,可以直接拨打大市场服务部了解详情或者可在下方填写相关资讯信息及您的联系方式,我们会有专家对您的咨询进行回复。