在后摩尔时代,发挥多功能、异质集成技术的优势和特点,面向存储系统应用,集成DDR31DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等,构成具有多功能的存储徽系统芯片。DDR3、DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等,构成具有多功能的存储徽系统芯片。该徽系统具有以下特点和优势:1.具有DRAM缓存和FLASH存储功能,内部集成参考电源设计,无需外部提供参考电源,功能更丰富、设计更简单;2.同国内外同类型产品对比,集成了更多不同功能、不同制程的芯片和阻容网,集成度更高古用面积更小;3.单颗芯片支持不同存储位宽(32/40/64172bi),使得应用更简单、高效;4.采用全国产化芯片,基板加工、封装工艺等全在国内完成,完全自主可控。