该外观设计美观大方，富有科技感

建立要加工的零件的三维数字立体模型并再离散成一系列分层切片，通过对每层切片先采用短脉冲或连续激光进行粗加工再采用超短脉冲激光进行精加工的方式依次完成各个切片的加工形成工件

本项目提供的Ge/GaAs双结太阳能电池，包括：Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、Ge/GaAs双结太阳能电池层、接触层、反射膜，其中所述Ge外延层中Ge为激光再晶化(LaserRe-Crystallization,简称LRC)晶体。

本项目提供的感应式多模式照明装置，包括：第一阵列灯(101)，包括多个第一波长灯珠和多个第二波长灯珠；第二阵列灯(102)，包括多个第三波长灯珠；第三阵列灯(103)，包括多个第一波长灯珠和多个第二波长灯珠；所述第一阵列灯(101)、第二阵列灯(102)及第三阵列灯(103)均设置于鱼缸的顶板，且所述第二阵列灯(102)设置于所述第一阵列灯(101)和所述第三阵列灯(103)之间。

本项目提供了一种光发射机，包括：输入电路，用于对输入的电信号进行扰码和编码操作；驱动电路，电连接所述输入电路，用于将扰码和编码后的所述电信号进行调制，形成调制信号；光源模块，电连接所述驱动电路，用于根据所述调制信号驱动所述光源模块并产生光信号；温度控制电路，电连接所述光源模块，用于稳定所述光源模块的工作温度。其中，所述输入电路包括：依次电连接的输入接口、均衡放大器、码型变换模块、复用模块、扰码编码模块。

本项目提供的红外光源。该红外光源15，包括基板151、红外LED153、金丝155、树脂材料157及透镜159；其中，所述红外LED153设置于所述基板151中间位置处；所述金丝155连接所述红外LED153的电极与设置于所述基板151上的金属连线；所述透镜159固接于所述基板151上；所述树脂材料157填充于所述基板151与所述透镜159形成的空间内。

本项目提供的基于SPiN二极管的SOI基可重构等离子全息天线，包括：Si基SOI半导体基片(1)；制作在所述Si基SOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)、同轴馈线(4)及全息圆环(14)；其中，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)包括分布在所述同轴馈线(4)两侧且等长的SPiN二极管串，所述全息圆环(14)包括多个SPiN二极管串(w7)。

本项目提供的一种GeSn隧穿场效应晶体管，该晶体管包括：衬底材料101、Ge层102、GeSn外延层103、栅介质层104、栅极层105、源区106以及漏区107；其中，所述Ge层102、所述GeSn外延层103、所述栅介质层104以及所述栅极层105依次设置于所述衬底材料101上；所述源区106和所述漏区107分别设置于所述N型GeSn外延层103两侧。

本项目提供的数字光收信机，包括：光电探测器、前置放大器、主放大器、均衡器、AGC电路、判决器、译码器、输入端、输出端、时钟恢复电路，其中：所述光电探测器、所述前置放大器、所述均衡器、所述判决器、所述译码器依次串接于所述输入端和所述输出端；所述AGC电路串接于所述均衡器的输出端和所述主放大器的输入端之间形成反馈环路；所述时钟恢复电路的输入端与所述均衡器的输出端电连接，其输出端分别与所述判决器的输入端和所述译码器的输入端电连接；所述译码器的输出端与所述输出端电连接。

本项目提供的横向PIN二极管。该器件包括SOI衬底(101)；第一P区台阶(102)、第一N区台阶(103)、第二P区台阶(104)、第二N区台阶(105)、第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)，分别设置于SOI衬底(101)内并位于SOI衬底(101)的两侧；其中，第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)分别位于第一P区台阶(102)及第一N区台阶(103)的下侧；第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)分别位于第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)的下侧。