集成电路技术是现代技术的基础，50多年以来硅材料在集成电路领域占据着主导地位。但是随着集成电路技术的发展，关键器件的特征尺寸减小、集成度和复杂性的增加，出现了一系列涉及材料、器件物理、器件结构和工艺技术等方面的新问题，导致基于Si BiCMOS技术制备的模拟集成电路和数模混合集成电路性能的提升受到了极大的限制。 为了解决以上问题，研究者提出采用应变Si和应变SiGe材料制备BiCMOS结构中的N/PMOS（N型/P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管）和BJT（双极晶体管），使得NMOS、PMOS和BJT三者的性能同步提升，从而提高基于BiCMOS技术制备的集成电路的性能，以突破目前Si BiCMOS技术所面临的瓶颈。 通过细致的研究，研究者解决了不同应力引入方法与器件结构的兼容性、基于不同应力引入方法的器件之间的兼容性问题，设计出了多种性能增强的应变N/PMOS、SiGe HBT（异质结双极晶体管）和应变BiCMOS器件结构，并根据每种结构的特点，获得了优化的器件及其相关集成电路的制备方法。基于以上的研究成果，可为高性能应变器件与集成电路的设计与生产广阔的市场空间。
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