专利1 基于金属粘接层的氧化镓与金刚石的晶片及其键合方法
本发明属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种基于金属粘接层的氧化镓与金刚石的晶片及其键合方法，其键合方法包括以下步骤：对氧化镓和金刚石表面进行抛光；对抛光后的氧化镓键合面和金刚石键合面进行氩等离子体处理；在经氩等离子体处理后的氧化镓和金刚石表面分别溅射底层金属薄膜，之后再溅射键合层金属薄膜，底层和键合层金属薄膜为键合粘接层；对于沉积的金属纳米粘接层，先进行氧化镓和金刚石的第一次键合，之后再进行第二次键合，得到金刚石基氧化镓晶片。本发明的键合方法工艺流程简单，对晶片表面粗糙度和键合环境要求也较低，即便是在室温大气环境下，仍可以获得非常高的键合强度，且对实验室要求较低。
专利2 基于超高真空表面活化的氧化镓与金刚石键合方法及晶片
本发明属于半导体材料制备工艺领域，具体涉及一种基于超高真空表面活化的氧化镓与金刚石键合方法及晶片，该方法制备的金刚石基氧化镓晶片具有氧化镓层/非晶氧化镓层/纳米粘接层/非晶碳层/金刚石衬底和氧化镓层/非晶氧化镓层/非晶碳层/金刚石衬底两种结构，主要制备步骤为：对氧化镓和金刚石表面进行精细抛光；利用快速氩原子束对抛光后的氧化镓和金刚石表面进行活化处理；在经表面活化处理后的氧化镓和金刚石表面分别沉积纳米粘接层，将沉积了纳米粘接层的氧化镓和金刚石互相接触进行间接键合，或不需要沉积纳米粘接层，将经过表面活化处理的氧化镓和金刚石进行直接键合。本发明制备的金刚石基氧化镓晶片，可提高氧化镓器件的散热性能。
无
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