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横向PIN二极管
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委托机构
陕西天道必成信息技术有限责任公司
技术经理人
卢斌
科技成果持有方
西安科锐盛创新科技有限公司
挂牌时间
2018-06-22
基本信息
技术分析
商业分析
交易信息
项目名称
横向PIN二极管
项目简介
本项目涉及一种横向PIN二极管。该器件包括SOI衬底(101);第一P区台阶(102)、第一N区台阶(103)、第二P区台阶(104)、第二N区台阶(105)、第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107),分别设置于SOI衬底(101)内并位于SOI衬底(101)的两侧;其中,第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)分别位于第一P区台阶(102)及第一N区台阶(103)的下侧;第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)分别位于第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)的下侧。本实用新型通过在SOI衬底上制备多个台阶形成多层沟道,利用两个沟道内高浓度载流子的叠加作用使得整个本征区内载流子浓度达到均匀,从而提高了横向PIN二极管的功率密度,增强了PIN二极管的固态等离子体特性。
项目所属领域
电子信息技术
知识产权情况
专利名称:横向PIN二极管
专利类型:实用新型
专利权人:西安科锐盛创新科技有限公司
专利号:ZL201720488508.X
有效期限:2027-05-05
技术方案
本项目提供的横向PIN二极管。该器件包括SOI衬底(101);第一P区台阶(102)、第一N区台阶(103)、第二P区台阶(104)、第二N区台阶(105)、第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107),分别设置于SOI衬底(101)内并位于SOI衬底(101)的两侧;其中,第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)分别位于第一P区台阶(102)及第一N区台阶(103)的下侧;第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)分别位于第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)的下侧。
可量化指标
可选地,所述第一P区台阶102和所述第一N区台阶103的上表面分别距所述顶层硅 1003上表面的距离为30~100nm;所述第二P区台阶104和所述第二N区台阶105的上表面分 别距所述第一P区台阶102和所述第一N区台阶103上表面的距离为100~300nm;所述第三P 区台阶106和所述第三N区台阶107的上表面距所述第二P区台阶(104)和所述第二N区台阶 105上表面的距离为300~500nm。
对比技术
项目创新点
本项目提供的PIN二极管通过在SOI衬底上制备多个台阶形成多层沟道,当在接触电极上外加正向电压时,利用两个沟道内高浓度载流子的叠加作用使得整个本征区内载流子 浓度达到均匀,从而提高了横向PIN二极管的功率密度,增强了PIN二极管的固态等离子体特性。
应用前景
无
项目阶段
研发
经济效益
商业模式
技术交易方式
技术许可,技术转让,技术合作,技术投资入股
意向交易额
面议
询价交易额
无
备注
无
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服务热线:
029—68518792/68518773-4005
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