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红外光源
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委托机构
陕西天道必成信息技术有限责任公司
技术经理人
卢斌
科技成果持有方
西安科锐盛创新科技有限公司
挂牌时间
2018-06-22
基本信息
技术分析
商业分析
交易信息
项目名称
红外光源
项目简介
本项目涉及一种红外光源。该红外光源15,包括基板151、红外LED153、金丝155、树脂材料157及透镜159;其中,所述红外LED153设置于所述基板151中间位置处;所述金丝155连接所述红外LED153的电极与设置于所述基板151上的金属连线;所述透镜159固接于所述基板151上;所述树脂材料157填充于所述基板151与所述透镜159形成的空间内。
项目所属领域
电子信息技术
知识产权情况
专利名称:红外光源
专利类型:实用新型
专利权人:西安科锐盛创新科技有限公司
专利号:ZL201720546767.3
有效期限:2027-05-17
技术方案
本项目提供的红外光源。该红外光源15,包括基板151、红外LED153、金丝155、树脂材料157及透镜159;其中,所述红外LED153设置于所述基板151中间位置处;所述金丝155连接所述红外LED153的电极与设置于所述基板151上的金属连线;所述透镜159固接于所述基板151上;所述树脂材料157填充于所述基板151与所述透镜159形成的空间内。
可量化指标
可选地,所述Ge外延层为本征Ge材料,且其厚度为400~450nm。 可选地,所述P型Ge层的厚度为180~200nm,且其掺杂浓度为0.5×1019~1× 1019cm-3。 可选地,所述红外LED还包括钝化层,所述钝化层设置于所述Si衬底及所述PiN结 构的上表面,用于隔离所述正电极1535及所述负电极1537。 其中,所述钝化层为SiO2材料,且其厚度为150~200nm。 优选地,所述正电极1535和所述负电极1537为Cr或者Au材料,且其厚度为150~ 200nm。
对比技术
项目创新点
红外LED采用光调制技术,即按照发送信号来控制LED的亮度变化来实现信号发送。因此,当前红外LED的发光效率是提升红外光通信性能的一个重要指标;本项目提供的红外光源在基板上设置凹槽,从结构上提高红外LED的发光效率,应用前景广阔、具有较强的市场潜力。
应用前景
无
项目阶段
研发
经济效益
商业模式
技术交易方式
技术许可,技术转让,技术合作,技术投资入股
意向交易额
面议
询价交易额
无
备注
无
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如您想进一步了解本项目的详细信息,可以直接拨打大市场服务部了解详情或者可在下方填写相关资讯信息及您的联系方式,我们会有专家对您的咨询进行回复。
服务热线:
029—68518792/68518773-4005
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