本项目涉及一种带隙自偏置的宽高频低噪声放大器,旨在解决现有技术低噪声放大器源简并结构的电流失配问题、以及避免直流偏置的不理想带来的影响。
该带隙自偏置的宽高频低噪声放大器,包括低噪声放大电路和带隙基准电路,其中带隙基准电路的电流量受控于数控单元,带隙基准电路输出的电流经过镜像成倍放大作为低噪声放大电路的偏置电流;低噪声放大电路采用共源共栅结构,信号从In端口输入经片内电感L1接至晶体管Q8的基极,在In端口与电感L1之间的结点引出支路串联电容C4接地;信号在晶体管Q8经过电压‑电流反馈,在晶体管Q9的集电极输出端得到放大,并通过缓冲单元Buf输出,完成信号的低噪声放大功能。
目前的大多数电路设计拟将带隙基准偏置做在片外,进行片外测试和片外偏置,或将带隙电路单独制作,将其产生的带隙电压信号输入到低噪声放大器中。
本项目通过联合设计的带隙基准电路将高性能电流输出,并采用数控单元对电流量进行进一步的控制,并将电流进行镜像,产生低噪声放大器的偏置电流,稳定电路性能。另外,低噪声放大器采用非源简并结构,在确保宽高频性能的同时,实现电流镜的性能进一步优化。具体有以下优点:
1.采用未加源极电感的Q8,避免了额外引入的寄生电阻,避免造成噪声性能的恶化和偏置不匹配。
2.电流偏置未引入额外线性区电路,避免直流偏置的不理想。
3.该电流适用于超宽频带的低噪声放大器。
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