本发明涉及一种基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器,包括:自上而下依次层叠设置的顶部布线层、衬底层和底部布线层,顶部布线层设置在衬底层的上表面,底部布线层设置在衬底层的下表面,顶部布线层内设置有顶部互连线,衬底层内垂直贯穿设置有若干TSV通孔和若干同轴TSV通孔,底部布线层内设置有底部互连线。该结构相较于传统的耦合微带线结构其特性调整灵活度更高,减少了最小线间距等工艺限制的影响。
本发明涉及一种基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器,包括:自上而下依次层叠设置的顶部布线层、衬底层和底部布线层,顶部布线层设置在衬底层的上表面,底部布线层设置在衬底层的下表面,顶部布线层内设置有顶部互连线,衬底层内垂直贯穿设置有若干TSV通孔和若干同轴TSV通孔,底部布线层内设置有底部互连线。
本发明中顶部第一导体111的形状为L形,顶部第二导体112的形状为矩形,顶部第三导体113的形状为顺时针旋转270度的L形,其中心位置处有引出端,以便与第三端口133连接,顶部第四导体114的形状为顺时针旋转90度的L形,其中,L1=L2=L3=L4=145μm,设置导体宽度为42μm。
定向耦合器作为微波通信系统中的重要组成器件,其各项参数是制约整体系统特性的关键一环。片上集成的定向耦合器考虑到与平面工艺的兼容性主要采用了微带线形式,根据其拓扑结构的不同主要包括两种:分支线与环形定向耦合器。其中,环形定向耦合器由于其制造工艺简单,可切换共模与差模输出等优点,被广泛运用于微波电子设备及天线馈电等应用场景中。其设计方法与结构并不适用于构建片上集成的环形定向耦合器,而分支线型与环形耦合器在输出信号相位差、隔离度等方面具有较大差异,应用场景间无法相互替代。因此,研发此类定向耦合器,可以有效解决上述存在的问题。
本发明基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器,利用了同轴TSV内外层间的耦合特性并将其与衬底上下两部分多层布线交替连接,对电路拓扑中的耦合部分进行了等效,实现了1至4端口间结构的三维化,该结构相较于传统的耦合微带线结构其特性调整灵活度更高,减少了最小线间距等工艺限制的影响;
联系人:张亮 15319991017
如您想进一步了解本项目的详细信息,可以直接拨打大市场服务部了解详情或者可在下方填写相关资讯信息及您的联系方式,我们会有专家对您的咨询进行回复。