本项目将重点围绕4-6英寸碳化硅基氮化镓微波器件外延片存在的位错密度高、翘曲度大、均匀性差和重复性差等影响工程化批量化生产的关键难题，深入研究揭示造成上述问题的关键物理激励，开展深人的生长方法、生长工艺以及材料结构的改进研究，最终实现4-6英寸碳化硅基氮化镓微波器件外延片的成套工程化技术研发，实现了批量化制备，满足商用GaN微波功率器件产品制备的需要，为实现氮化镓外延片的完全产业化打通全部技术障碍。

• 专利名称：无
• 专利类型：发明专利
• 专利权人：无
• 专利号：无
• 有效期限：无

MOCVD生长技术中，异质结层结构、各层薄厚度、生长温度、气体流量等参数都直接影响着GaN外延片材料的性能和整体均性。本课题将研究异质结层结构对材料的均匀性影响:成核层缓冲层的类型及厚度，是否生长插人层等因素都会对异质结材料均匀性产生影响;研究各层薄膜厚度、生长温度及气体流量对材料的性能及均匀性影响。通过优化异质结结构，来获得翘曲度低、电特性好的异质结外延片。