围绕硅基氮化镓毫米波器件与芯片发展面临的外延材料、基础工艺、器件结构、可靠性及产业应用等方面挑战难题，依托宽禁带半导体国家工程研究中心、陕西省重点领域科技创新团队等优势平台团队，实现了强极化外延材料、CMOS兼容的氮化镓工艺、新型器件结构、器件可靠性加等技术突破，关键技术指标及器件性能达到国内领先/国际先进水平。项目成果已在华为等公司字现应用，支撑了其产品性能的提升。

• 专利名称：无
• 专利类型：发明专利
• 专利权人：无
• 专利号：无
• 有效期限：无

本项目突破了射频用硅基氮化镓外延材料、硅基氨化镓兼容工艺、低阻欧姆接触、增强型射频器件等关键技术，基于相关技术已实现初样研制，硅基氮化镓射频器件表现出良好的功率输出和效率性能。本项目针对GaN HEMT在低电压下效率急剧降低等亟待解决的科学难题和技术挑战，开展了氮化镓器件低电压条件下的效率限制机理和强极化异质结沟道调制方法研究，提出了实现低压高效率和低损伤射频增强型器件的结构与实现方法。