本项目涉及一种具有SiO2保护作用的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。本项目实施例利用原位掺杂工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能具有SiO2保护作用的固态等离子体PiN二极管。
本项目的制备方法包括:(a)选取SOI衬底;(b)刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽;(c)对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区;(d)光刻引线孔并金属化处理以形成所述固态等离子体PiN二极管。
该天线是一种将等离子体作为电磁辐射导向媒质的射频天线。等离子体天线的可利用改变等离子体密度来改变天线的瞬时带宽、且具有大的动态范围;还可以通过改变等离子体谐振、阻抗以及密度等,调整天线的频率、波束宽度、功率、增益和方向性动态参数;另外,等离子体天线在没有激发的状态下,雷达散射截面可以忽略不计,而天线仅在通信发送或接收的短时间内激发,提高了天线的隐蔽性,这些性质可广泛的应用于各种侦察、预警和对抗雷达,星载、机载和导弹天线,微波成像天线,高信噪比的微波通信天线等领域,极大地引起了国内外研究人员的关注,成为了天线研究领域的热点。
当前绝大多数的研究只限于气态等离子体天线,对固态等离子体天线的研究几乎还是空白。而固态等离子体一般存在于半导体器件中,无需像气态等离子那样用介质管包裹,具有更好的安全性和稳定性。经理论研究发现,固态等离子体PiN二极管在加直流偏压时,直流电流会在其表面形成自由载流子(电子和空穴)组成的固态等离子体,该等离子体具有类金属特性,即对电磁波具有反射作用,其反射特性与表面等离子体的微波传输特性、浓度及分布密切相关。
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