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一种GeSn隧穿场效应晶体管
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委托机构
陕西天道必成信息技术有限责任公司
技术经理人
卢斌
科技成果持有方
西安科锐盛创新科技有限公司
挂牌时间
2018-06-22
基本信息
技术分析
商业分析
交易信息
项目名称
一种GeSn隧穿场效应晶体管
项目简介
本项目涉及一种GeSn隧穿场效应晶体管,该晶体管包括:衬底材料101、Ge层102、GeSn外延层103、栅介质层104、栅极层105、源区106以及漏区107;其中,所述Ge层102、所述GeSn外延层103、所述栅介质层104以及所述栅极层105依次设置于所述衬底材料101上;所述源区106和所述漏区107分别设置于所述N型GeSn外延层103两侧。本实用新型提供的GeSn隧穿场效应晶体管结构亚阈效应小,可以提高隧穿场效应晶体管器件的电流驱动。
项目所属领域
电子信息技术
知识产权情况
专利名称:一种GeSn隧穿场效应晶体管
专利类型:实用新型
专利权人:西安科锐盛创新科技有限公司
专利号:ZL201721007640.0
有效期限:2027-08-11
技术方案
本项目提供的一种GeSn隧穿场效应晶体管,该晶体管包括:衬底材料101、Ge层102、GeSn外延层103、栅介质层104、栅极层105、源区106以及漏区107;其中,所述Ge层102、所述GeSn外延层103、所述栅介质层104以及所述栅极层105依次设置于所述衬底材料101上;所述源区106和所述漏区107分别设置于所述N型GeSn外延层103两侧。
可量化指标
优选地,所述衬底材料101为掺杂浓度为5×1018cm-3的P型单晶Si材料。 优选地,所述Ge层102厚度为200~300nm。 优选地,所述GeSn外延层103的厚度为146nm。 其中,所述GeSn外延层103的掺杂离子为BF2+,掺杂浓度为8×1016cm-2。 优选地,所述栅介质层104的厚度为0.7nm;所述栅极层105的厚度为0.7nm。 优选地,所述源区106的掺杂离子为BF2+,掺杂浓度为1×1019cm-2;所述漏区107的 掺杂离子为P+,掺杂浓度为2×1018cm-2。
对比技术
项目创新点
本项目提供的GeSn隧穿场效应晶体管较于传统MOS器件,该结构亚阈效应小,可以解决短沟效应;相对于传统Si材料,GeSn材料的载流子迁移率提高了数倍有效的提高隧穿场效应晶体管的开态电流了,而且通过对Sn组分的调节使间接带隙材 料转化为直接带隙材料,增加载流子隧穿几率,从而提高了隧穿场效应晶体管器件的电流驱动。
应用前景
无
项目阶段
研发
经济效益
商业模式
技术交易方式
技术许可,技术转让,技术合作,技术投资入股
意向交易额
面议
询价交易额
无
备注
无
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如您想进一步了解本项目的详细信息,可以直接拨打大市场服务部了解详情或者可在下方填写相关资讯信息及您的联系方式,我们会有专家对您的咨询进行回复。
服务热线:
029—68518792/68518773-4005
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