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光发射机
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委托机构
陕西天道必成信息技术有限责任公司
技术经理人
卢斌
科技成果持有方
西安科锐盛创新科技有限公司
挂牌时间
2018-06-22
基本信息
技术分析
商业分析
交易信息
项目名称
光发射机
项目简介
本项目涉及一种光发射机,包括:输入电路,用于对输入的电信号进行扰码和编码操作;驱动电路,电连接输入电路,用于将扰码和编码后的电信号进行调制,形成调制信号;光源模块,电连接驱动电路,用于根据调制信号驱动光源模块并产生光信号;温度控制电路,电连接光源模块,用于稳定所述光源模块的工作温度。该光发射机中的光源采用台阶结构的LED,提高了发光效率,降低了光发射机的成本
项目所属领域
电子信息技术
知识产权情况
专利名称:光发射机
专利类型:实用新型
专利权人:西安科锐盛创新科技有限公司
专利号:ZL201720545861.7
有效期限:2027-05-17
技术方案
本项目提供了一种光发射机,包括: 输入电路,用于对输入的电信号进行扰码和编码操作; 驱动电路,电连接所述输入电路,用于将扰码和编码后的所述电信号进行调制,形成调制信号; 光源模块,电连接所述驱动电路,用于根据所述调制信号驱动所述光源模块并产 生光信号; 温度控制电路,电连接所述光源模块,用于稳定所述光源模块的工作温度。 其中,所述输入电路包括:依次电连接的输入接口、均衡 放大器、码型变换模块、复用模块、扰码编码模块。
可量化指标
所述晶化处理包括: 步骤1、将包括所述单晶Si衬底21、所述晶化Ge籽晶层和所述晶化Ge主体层的整个 衬底材料加热至700℃; 步骤2、利用LRC工艺晶化所述整个衬底材料,其中,激光波长为808nm,激光光斑尺 寸10mm×1mm,激光功率为1.5kW/cm2,激光移动速度为25mm/s; 步骤3、自然冷却所述整个衬底材料。 请进一步参见图5,图5为本实用新型实施例提供的一种LRC工艺方法示意图,LRC 工艺即激光再晶化(Laser Re-Crystallization,简称LRC)工艺是一种热致相变结晶的方 法,通过激光热处理,使Si衬底上Ge外延层熔化再结晶,横向释放Ge外延层的位错缺陷,不 仅可获得高质量的Ge外延层,同时,由于LRC工艺可精确控制晶化区域,一方面避免了常规 工艺中Si衬底与Ge外延层之间的Ge/Si互扩问题,另一方面Ge/Si之间材料界面特性好。 其中,所述第一Ge层22为P型,且掺杂浓度为5×1018cm-3。 其中,所述Ge基台阶结构23包括GeSn层和第三Ge层;其中,所述第三Ge层设置于所 述GeSn层上表面。 优选地,所述GeSn层的厚度为150~200nm
对比技术
项目创新点
光源是光发射机中的重要模块。半导体激光器或半导体发光二极管作为光源器件,光源在工作时间过长或者温度过高的时候,输出的功率会减小,造成输出的光信号不稳定。随着光通信技术的发展,高速光纤通信系统对半导体发光二极管的要求也越来越高,集成化的发展趋势要求半导体发光二极管与其他光电器件集成。本项目提供的光发射机基于台阶结构的发光二极管,提高光发射机的光源发光效率。
应用前景
无
项目阶段
研发
经济效益
商业模式
技术交易方式
技术许可,技术转让,技术合作,技术投资入股
意向交易额
面议
询价交易额
无
备注
无
想了解具体情况,联系大市场服务部
如您想进一步了解本项目的详细信息,可以直接拨打大市场服务部了解详情或者可在下方填写相关资讯信息及您的联系方式,我们会有专家对您的咨询进行回复。
服务热线:
029—68518792/68518773-4005
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