本项目公开了一种集成于电子镇流器半桥驱动芯片中的自适应死区时间控制电路,减小了电子镇流器的开关损耗和死区效应,提高了电子镇流器的效率。
本项目主要解决传统电子镇流器因死区时间固定而导致的开关损耗过大或死区效应严重的问题。本发明的自适应死区时间控制电路包括:下降沿检测电路、调节电路以及死区生成电路,其中下降沿检测电路将检测到的芯片外部半桥的输出电压转换为上、下门限电压信号传输到调节电路;调节电路判断当前死区时间是否在上、下门限之间,并根据判断结果产生控制电压信号传输到死区生成电路;死区生成电路根据控制电压信号生成死区时间,并将死区时间反馈给调节电路,该死区时间最终将稳定在上、下门限值之间。
本项目与现有技术相比具有如下优点:
1.可通过死区生成电路和调节电路构成的反馈控制环路自动调节死区时间,调节过程不需要人为操作,实现了死区时间的自适应调节。
2.由于通过下降沿检测电路自动设定死区时间的上、下门限,这样不仅避免了因死区过小而造成的开关损耗,还减小了因死区过大而造成的死区效应,提高了电子镇流器的效率。
3.可使用标准CMOS工艺实现,集成于电子镇流器半桥驱动芯片中,无需增加芯片外围电路器件,也无需增加芯片引脚,降低了系统设计的成本。
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