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Ge/GaAs双结太阳能电池
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委托机构
陕西天道必成信息技术有限责任公司
技术经理人
卢斌
科技成果持有方
西安科锐盛创新科技有限公司
挂牌时间
2018-06-22
基本信息
技术分析
商业分析
交易信息
项目名称
Ge/GaAs双结太阳能电池
项目简介
本项目提供的Ge/GaAs双结太阳能电池,所述Ge/GaAs双结太阳能电池包括:Si衬底层,依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、Ge/GaAs双结太阳能电池层、接触层、反射膜,其中所述Ge外延层中Ge为LRC晶体。本实用新型有如下有益效果:通过采用LRC工艺制备的Ge外延层,使基于Ge/Si衬底的Ge/GaAs双结太阳能电池器件质量提高,光电转化效率提高。
项目所属领域
电子信息技术
知识产权情况
专利名称:Ge/GaAs双结太阳能电池
专利类型:实用新型
专利权人:西安科锐盛创新科技有限公司
专利号:ZL201621480111.8
有效期限:2026-12-30
技术方案
本项目提供的Ge/GaAs双结太阳能电池,包括:Si衬底层, 依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、Ge/GaAs双结太阳能电池层、接触层、反射膜,其中所述Ge外延层中Ge为激光再晶化(Laser Re-Crystallization,简称LRC)晶体。
可量化指标
利用激光再晶化LRC技术辅助制备高质量虚Ge衬底,要求激光作用下虚Ge层温度至少达到熔点,且尽量靠近烧熔点,达到理想晶化的近完全熔融状态,保证Ge晶粒的后续完美结晶。同时,外延层下面的Si衬底层不能达到熔点,保证了LRC对衬底不产生影响。因此, 确定合理的LRC相关工艺参数(如激光功率密度、移动速度等),控制外延层温度分布,将是该工艺成败的关键。请参见图4,图4为本实用新型实施例提供的一种Ge/Si衬底材料的工艺之有限元仿真结果示意图。图中,纵坐标表示Ge/Si体系厚度,在Ge外延层厚度200nm的Ge/ Si衬底上采用激光移动速度为400mm/s、激光功率6.1kW/cm2的工艺条件可实现Ge融化结晶而Si未融化。
对比技术
项目创新点
对于太阳能电池,发光效率是最主要的参数,从光伏效应的角度分析,单结太阳能电池已经快接近发光极限,为提高太阳能电池的发光效率,就必须对结构进行优化。本项目提供的太阳能电池采用LRC工艺制备的Ge外延层,使基于Ge/Si衬底的Ge/GaAs双结太阳能电池器件质量提高,光电转化效率提高。太阳能是目前人类能够利用的最大的清洁能源,随着人类对太阳能的不断深入研究,太阳能光电转换效率的提升,太阳能被广泛应用于各行各业,并且将会更加深入的应用到人们的生活当中,本项目提供的太阳能电池光电转化效率更高。
应用前景
无
项目阶段
研发
经济效益
商业模式
技术交易方式
技术许可,技术转让,技术合作,技术投资入股
意向交易额
面议
询价交易额
无
备注
无
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服务热线:
029—68518792/68518773-4005
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