推荐机构:西安科技大市场 | 项目阶段:研发 | 所属领域:电子信息技术 |
知识产权情况: | 技术交易方式: 技术许可,技术转让,... | 意向交易额:面谈 |
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推荐机构 | 西安科技大市场 | 推荐人 | |
委托机构 | 西安远诺技术转移有限公司 | 技术经理人 | 左瑜、张亮 |
项目名称 | 具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法 | 项目持有人 | 西安电子科技大学 |
知识产权情况 | |||
项目所属领域 | 电子信息技术 | ||
项目创新点 | 本项目主要利用纳米软压印技术,制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件,包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构,实现高减反特性;由于采用了纳米陷光结构,有利于增加入射光程,增加光程和有效光吸收,产生更多的光生载流子,提高电池的光电流和转换效率。 |
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原理路线 | 本项目包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构,表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构,本发明主要利用纳米软压印技术,制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件,包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。 |
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项目阶段 | 研发 | ||
市场应用与前景 | |||
技术交易方式 | 技术许可,技术转让,技术合作,技术服务 | ||
意向交易额 | 面谈 | ||
备注 |
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