具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法 我要咨询 收藏本项目
推荐机构:西安科技大市场 项目阶段:研发 所属领域:电子信息技术
知识产权情况: 技术交易方式: 技术许可,技术转让,... 意向交易额:面谈
推荐机构 西安科技大市场 推荐人
委托机构 西安远诺技术转移有限公司 技术经理人 左瑜、张亮
项目名称 具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法 项目持有人 西安电子科技大学
知识产权情况
项目所属领域 电子信息技术
项目创新点

本项目主要利用纳米软压印技术,制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件,包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构,实现高减反特性;由于采用了纳米陷光结构,有利于增加入射光程,增加光程和有效光吸收,产生更多的光生载流子,提高电池的光电流和转换效率。

原理路线

本项目包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构,表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构,本发明主要利用纳米软压印技术,制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件,包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。

项目阶段 研发
市场应用与前景
技术交易方式 技术许可,技术转让,技术合作,技术服务
意向交易额 面谈
备注

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