科技成果
| 推荐机构：西安科技大市场 | 项目阶段：研发 | 所属领域：电子信息技术 |
| 知识产权情况： 其他 | 技术交易方式： 技术许可,技术转让,... | 意向交易额：面议 |
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| 推荐机构 | 西安科技大市场 | 推荐人 | |
| 委托机构 | 陕西天道必成信息技术有限责任公司 | 技术经理人 | 卢斌 |
| 项目名称 | 横向PIN二极管 | 项目持有人 | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 知识产权情况 | 其他 | ||
| 项目所属领域 | 电子信息技术 | ||
| 项目创新点 | 本项目提供的PIN二极管通过在SOI衬底上制备多个台阶形成多层沟道，当在接触电极上外加正向电压时，利用两个沟道内高浓度载流子的叠加作用使得整个本征区内载流子 浓度达到均匀，从而提高了横向PIN二极管的功率密度，增强了PIN二极管的固态等离子体特性。 | ||
| 原理路线 | 本项目提供的横向PIN二极管。该器件包括SOI衬底(101)；第一P区台阶(102)、第一N区台阶(103)、第二P区台阶(104)、第二N区台阶(105)、第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)，分别设置于SOI衬底(101)内并位于SOI衬底(101)的两侧；其中，第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)分别位于第一P区台阶(102)及第一N区台阶(103)的下侧；第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)分别位于第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)的下侧。 | ||
| 项目阶段 | 研发 | ||
| 市场应用与前景 | |||
| 技术交易方式 | 技术许可,技术转让,技术合作,技术投资入股 | ||
| 意向交易额 | 面议 | ||
| 备注 | |||
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