科技成果
| 推荐机构：西安科技大市场 | 项目阶段：研发 | 所属领域：电子信息技术 |
| 知识产权情况： 其他 | 技术交易方式： 技术许可,技术转让,... | 意向交易额：面议 |
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| 推荐机构 | 西安科技大市场 | 推荐人 | |
| 委托机构 | 陕西天道必成信息技术有限责任公司 | 技术经理人 | 卢斌 |
| 项目名称 | 一种GeSn隧穿场效应晶体管 | 项目持有人 | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 知识产权情况 | 其他 | ||
| 项目所属领域 | 电子信息技术 | ||
| 项目创新点 | 本项目提供的GeSn隧穿场效应晶体管较于传统MOS器件，该结构亚阈效应小，可以解决短沟效应；相对于传统Si材料，GeSn材料的载流子迁移率提高了数倍有效的提高隧穿场效应晶体管的开态电流了，而且通过对Sn组分的调节使间接带隙材 料转化为直接带隙材料，增加载流子隧穿几率，从而提高了隧穿场效应晶体管器件的电流驱动。 | ||
| 原理路线 | 本项目提供的一种GeSn隧穿场效应晶体管，该晶体管包括：衬底材料101、Ge层102、GeSn外延层103、栅介质层104、栅极层105、源区106以及漏区107；其中，所述Ge层102、所述GeSn外延层103、所述栅介质层104以及所述栅极层105依次设置于所述衬底材料101上；所述源区106和所述漏区107分别设置于所述N型GeSn外延层103两侧。 | ||
| 项目阶段 | 研发 | ||
| 市场应用与前景 | |||
| 技术交易方式 | 技术许可,技术转让,技术合作,技术投资入股 | ||
| 意向交易额 | 面议 | ||
| 备注 | |||
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