科技成果
| 推荐机构：西安科技大市场 | 项目阶段：研发 | 所属领域： |
| 知识产权情况： | 技术交易方式： 技术许可,技术转让,... | 意向交易额：面谈 |
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| 推荐机构 | 西安科技大市场 | 推荐人 | |
| 委托机构 | 西安远诺技术转移有限公司 | 技术经理人 | 左瑜、张亮 |
| 项目名称 | 一种横向导电结构SiC MOSFET功率器件 | 项目持有人 | 西安电子科技大学 |
| 知识产权情况 | |||
| 项目所属领域 | |||
| 项目创新点 | 本项目提供的横向导电结构SiCMOSFET功率器件，在SiO2隔离介质与N-漂移区之间的界面具有一层等离子体增强化学气相淀积PECVDSiO2界面层，能够有效解决氧化过程中SiC和SiO2的接触界面C原子络合物产生的缺陷对界面态和迁移率的影响，从而提高器件的性能。 |
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| 原理路线 | 本项目所述的SiC MOSFET功率器件自上而下包括：栅极、SiO2隔离介质层、N+漏区、N+源区、P+欧姆接触区、P阱、N-漂移区和P型SiC衬底；其中，N+漏区、N+源区和P+欧姆接触区水平设置，N+源区和P+欧姆接触区位于P阱内；在SiO2隔离介质层与N-漂移区之间的界面具有一层等离子体增强化学气相淀积PECVDSiO2界面层。 |
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| 项目阶段 | 研发 | ||
| 市场应用与前景 | |||
| 技术交易方式 | 技术许可,技术转让,技术合作,技术服务 | ||
| 意向交易额 | 面谈 | ||
| 备注 | |||
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