本项目提供的提高横向导电结构SiCMOSFET沟道迁移率的方法，通过栅氧之前进行紫外线氧化和RCA清洗，使SiC界面呈现Si界面结构，再采用PECVD预处理，将Si界面结构氧化成SiO2界面层，从而与后续工艺的栅氧化层形成良好的界面接触，同时将界面的C原子氧化形成气体排出，彻底解决了SiC和SiO2的接触界面C原子络合物产生的缺陷造成的界面态高和迁移率低的问题，能够有效的提高器件的性能。

本项目包括：在P型SiC衬底上经过外延工艺形成MOSFET的N-漂移区；在N-漂移区内经过注入工艺形成MOSFET的源区和漏区；对已形成源区和漏区的SiC外延片的外延表面在200℃下进行紫外线氧化；RCA清洗，使得在外延表面形成Si界面结构；将SiC外延片在300℃氧气气氛中进行等离子体增强化学气相淀积PECVD预处理，将所述外延表面的Si界面结构氧化成SiO2界面层；在所述SiO2界面层上进行氧化淀积和退火，形成隔离介质层；制备多晶硅栅极和源、漏金属电极，从而形成所述横向导电结构SiC MOSFET。